[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680006918.0 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101133497A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 鲁鸿飞;神保信一 | 申请（专利权）人： | 富士电机控股株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/08;H01L21/336;H01L27/088;H01L21/8234;H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/78;H01L27/04;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种表现出高击穿电压、极好的热性质、高闩锁承受能力和低导通电阻的半导体器件。根据本发明的包括设置在n－型漂移层3和n－型漂移层3上的第一n型区7之间的埋置绝缘区5的半导体器件便于限制发射极空穴电流、防止闩锁发生、既不增加导通电阻也不增加导通电压。根据本发明的包括设置在埋置绝缘区5和n－型漂移层3之间的p型区4的半导体器件便于在器件的截止状态下耗尽n型漂移层3。根据本发明的包括设置在第一n型区7和n－型漂移层3之间的第二n型区6的半导体器件便于将沟道区中或第一n型区7中产生的热经由第二n型区6、n型漂移层3和n型缓冲层2消散到作为半导体衬底的p+型集电层1a。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的漂移层；所述漂移层上的第一导电类型的第一区，所述第一区的电阻率低于所述漂移层的电阻率；局部设置在所述第一区和所述漂移层之间的埋置绝缘区；所述埋置绝缘区和所述漂移区之间的第二导电类型的区域，所述第二导电类型的区域与所述漂移层接触；与所述第一区接触的第二导电类型的主体区；所述主体区中的第一导电类型的低电阻区；所述主体区中的第二导电类型的接触区；电连接到所述接触区和所述低电阻区的正面电极；所述第一区和所述低电阻区之间的主体区的部分上的栅绝缘膜；以及与所述主体区相对的一侧上的栅电极，且所述栅绝缘膜置于其间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机控股株式会社，未经富士电机控股株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680006918.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：转子发动机
- 下一篇：与被防护的装置共同作用的防护装置
- 同类专利
- 专利分类
