[发明专利]挡板晶圆及其所用的随机定向多晶硅有效
申请号: | 200680007000.8 | 申请日: | 2006-02-17 |
公开(公告)号: | CN101167163A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·E·包义森;里斯·雷诺斯;拉阿南·Y·柴海威;罗伯特·米顿;汤姆·L·卡德韦尔 | 申请(专利权)人: | 统合材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30;C30B15/06;H01L21/46 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;陈红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 多晶硅的挡板晶圆(60)置放在支撑塔(20)的非生产沟槽中,用于热处理单晶硅晶圆。多晶硅较佳为随机定向多晶硅(ROPSi),优选通过使用随机定向晶种(例如CVD成长的硅)而以Czochralski方法来成长。热炉管(10)的全硅热区可以包括硅支撑塔,其中该硅支撑塔设置在硅衬里(18)内且支撑这些多晶硅挡板晶圆,硅注射器在该衬里内提供处理气体。该随机定向多晶硅可用于其它需要粗糙构件的零件(例如在硅处理腔室中)并用于结构性构件。 | ||
搜索关键词: | 挡板 及其 所用 随机 定向 多晶 | ||
【主权项】:
1.一种用于填充多晶圆支撑固定件的非生产沟槽的挡板晶圆,至少包含一晶圆,其中该晶圆包含多晶硅且具有实质上等于硅生产晶圆的直径的直径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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