[发明专利]成像装置无效
| 申请号： | 200680007186.7 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101133495A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 西泽宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H04N5/335;H04N9/07 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 肖鹂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种成像设备，包括：半导体成像装置，具有彩色滤光片和多个光电二极管；以及成像光学系统，用于将光从目标引导至所述半导体成像装置。半导体成像装置的各个光电二极管的开口具有依据透射穿过设于光电二极管的入射表面侧上的彩色滤光片的光的波长来确定的直径(40、41)。因此，在使用半导体成像装置的照相机模块中，像素尺寸缩小。可以防止受到波动影响的范围内的成像设备的图像退化并缩小设备尺寸和厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成像设备，包括：半导体成像装置，具有彩色滤光片和多个光电二极管；以及成像光学系统，用于将光从目标引导至所述半导体成像装置，其中所述半导体成像装置的各个光电二极管的开口直径是依据穿过设于所述光电二极管的入射表面侧上的彩色滤光片并到达所述入射表面的光的波长来确定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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