[发明专利]窄半导体沟槽结构无效
| 申请号： | 200680007205.6 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101203942A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 瑟－图·绍;霍安·勒;阔－英·陈 | 申请（专利权）人： | 维税－希力康克斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于窄半导体沟槽结构的系统和方法。在第一方法实施方案中，用于形成窄沟槽的方法包括在衬底上形成第一绝缘材料层，并产生穿过所述第一绝缘材料层并进入所述衬底的沟槽。在第一层和所述沟槽的暴露部分上形成第二绝缘材料，并且从所述第一绝缘材料层和所述沟槽底部除去所述第二绝缘材料。用外延材料填充所述沟槽，并除去所述第一绝缘材料层。通过除去所述第二绝缘材料的剩余部分形成窄沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 沟槽 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成窄沟槽的半导体制造方法，所述方法包括：在衬底上形成第一绝缘材料层；生成穿过所述第一绝缘材料层并进入所述衬底的沟槽；在所述第一层上和在所述沟槽的暴露部分上形成第二绝缘材料；从所述第一绝缘材料层和所述沟槽底部除去所述第二绝缘材料；用外延材料填充所述沟槽；除去所述第一绝缘材料层；和通过除去所述第二绝缘材料的剩余部分形成窄沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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