[发明专利]具有沟道内铜漂移阻挡层的单掩膜MIM电容器和电阻器

摘要

本发明揭示MIM(金属绝缘体金属)电容器(164)的形成和电阻器(166)的同时形成。在充当所述电容器(164)的底部电极(170)的铜沉积物(110)上方形成铜扩散阻挡层。所述铜扩散阻挡层减轻铜从所述铜沉积物(110)的不良扩散，且经由无电沉积而形成，使得在除所述铜沉积物/底部电极的顶部表面上方以外的位置处沉积极少量到没有所述阻挡材料。随后，分别施加介电(150)和导电(152)材料层以形成所述MIM电容器(164)的电介质(172)和顶部电极(174)，其中所述导电顶部电极材料层(152)还用于同时在所述电容器(164)所在的同一芯片上形成所述电阻器(166)。

主权项

1.一种形成MIM(金属绝缘体金属)电容器的方法，其包含：在铜沉积物的顶部表面上方形成铜扩散阻挡材料层，所述铜沉积物充当所述电容器的底部电极的至少某些部分，其中所述阻挡材料经由无电沉积过程来沉积，借此极少量到没有阻挡材料形成在除所述铜沉积物的所述顶部表面以外的暴露表面上；在所述扩散阻挡上方形成电容器电介质；以及在所述电容器电介质上方形成电容器顶部电极。