[发明专利]纯净颗粒发生器无效
申请号: | 200680008199.6 | 申请日: | 2006-02-22 |
公开(公告)号: | CN101500734A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 魏强 | 申请(专利权)人: | 株式会社堀场制作所 |
主分类号: | B22F9/08 | 分类号: | B22F9/08 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 徐申民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 颗粒发生器能够产生熔点超过几百摄氏度的固体或液体原料的纯净的颗粒。原料在小型腔室中加热以产生蒸汽。加热的氮气或某种惰性气体用来做携带气体,将混合物带入稀释系统。当原料的过饱和度足够高并且超过临界值时,在稀释系统中通过均匀的核化来形成颗粒,颗粒在同样的稀释系统中得到生长。颗粒的不同的尺寸分布和集结能够通过改变稀释参数例如停留时间和稀释率来获得。 | ||
搜索关键词: | 纯净 颗粒 发生器 | ||
【主权项】:
1. 一种用于产生纯净颗粒的设备,其特征在于,包括:具有用来接收携带气体的进口以及具有出口的管子;腔室,该腔室用于保留产生颗粒的被挑选的材料,所述腔室与所述管子的出口相连接用来接收携带气体;稀释系统,该稀释系统具有与所述腔室相连的进口,所述进口用来接收所述携带气体和所述被挑选的材料的混合物,以及用来连接仪器的出口,所述稀释系统稀释接收到的混合物;以及其中,所述腔室和所述稀释系统被设置使所述被挑选的材料的过饱和度超过临界值,从而通过均匀的核化导致在所述稀释系统中颗粒的形成和生长。
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