[发明专利]制造包括纳米结构的PN结的发光二极管的方法及这样获得的二极管无效
| 申请号： | 200680008230.6 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101142658A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 皮埃尔·诺埃;弗雷德里克·马曾 | 申请（专利权）人： | 原子能委员会 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括纳米结构的PN结的发光二极管，其从第一掺杂剂掺杂的并用薄介电层(2)覆盖的半导体基板(1)制得。接下来，包括与第一掺杂剂相反类型的第二掺杂剂掺杂的半导体材料的非晶薄膜沉积在薄介电层(2)的表面上。然后该组件受到热处理以由非晶薄膜在薄介电层(2)中形成第二掺杂剂掺杂的半导体材料制成的多个纳米岛(5)。前面提及的岛(5)旨在相对于基板(1)外延以形成多个纳米PN结。接下来通过从所述岛(5)的外延生长形成附加的薄膜(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包括 纳米 结构 pn 发光二极管 方法 这样 获得 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种制造包括由第一掺杂剂掺杂的半导体基板(1、13)的纳米结构的pn结发光二极管的方法，该方法特征在于它连续地至少包括：-沉积步骤，由与所述第一掺杂剂的类型相反的类型的第二掺杂剂掺杂的半导体材料形成的非晶薄膜(3)沉积在覆盖所述基板(1、13)的介电薄层(2)的表面上，-热处理步骤，设计为在所述介电薄层(2)中并由所述非晶薄膜(3)形成纳米尺寸的由所述第二掺杂剂掺杂的半导体材料制成的多个点(5)，这些点与所述基板(1、13)有外延关系，以形成多个纳米尺寸的pn结，-以及附加的薄层(6)的形成步骤，该附加的薄层(6)通过从位于所述介电薄层(2)中的点(5)的外延生长形成于所述介电薄层(2)的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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