[发明专利]反向极化的Ⅲ族氮化物发光器件有效
| 申请号： | 200680008336.6 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101164209A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | J·J·小韦勒;M·G·克拉福特;J·埃普勒;M·R·卡拉梅斯 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/323;H01S5/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;谭祐祥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种器件结构，包括设置在p型区(54、58)和n型区(56)之间的III族氮化物纤锌矿半导体发光区(53)。键合的界面(50)设置在两个表面之间，其中的一个表面是所说器件结构的表面。键合的界面便于在发光区中纤锌矿c轴的取向，该取向限制发光区中的载流子，有可能增加在高电流密度情况下的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 极化 氮化物 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：器件结构，包括设置在p型区和n型区之间的III族氮化物发光区，发光区包括纤锌矿晶体结构；和设置在两个表面之间的键合的界面，其中的一个表面是所说器件结构的表面；其中：纤锌矿c轴的指向确定为从III族氮化物晶胞的氮面指向III族氮化物晶胞的镓面，所说纤锌矿c轴穿过设置在发光区和p型区之间的界面指向所说的发光区。
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