[发明专利]具有厚氧化硅和氮化硅钝化层的光电池及其制造方法

摘要

揭示了一种生产光生伏打器件(例如太阳能电池)的方法，包括以下步骤：提供具有前主面和背面的基板；在所述背面上沉积电介质层，其中所述电介质层的厚度大于100纳米；在所述电介质层上沉积包含氢化SiN的钝化层；形成贯穿电介质层和钝化层的后触头。还揭示了一种生产光生伏打器件(例如太阳能电池)的方法，包括以下步骤：提供具有前主面和背面的基板；在所述背面上沉积电介质叠层，其中所述电介质叠层包括电介质层的亚叠层，所述亚叠层的厚度大于100纳米，所述电介质叠层的厚度大于200纳米；形成贯穿所述电介质叠层的后触头。还揭示了相应的光生伏打器件，例如太阳能电池器件。

主权项

1.一种生产光生伏打器件的方法，该方法包括：i.提供一半导体基板，该基板具有用于收集入射光的前主面和与该前主面相对的背面，ii.在所述背面上沉积电介质层或宽带隙半导体层，其中电介质层的厚度大于100纳米，iii.在所述电介质层或所述宽带隙半导体层上沉积包含氢化SiN的钝化层，iv.形成贯穿所述电介质层或宽带隙半导体层和所述钝化层的后触头。