[发明专利]离子导体有效

专利信息
申请号: 200680008526.8 申请日: 2006-03-13
公开(公告)号: CN101142150A 公开(公告)日: 2008-03-12
发明(设计)人: 黑羽智宏;谷口升 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: C04B35/00 分类号: C04B35/00;C04B35/50;G01N27/41;G01N27/416
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 孙秀武;吴娟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种材料,其以高离子传导率传导质子或氧化物离子并且耐湿性和耐还原性优异,其中将式(1)代表的钙钛矿氧化物用作离子导体:BaZraCebM1cL1dO3-α…(1) (其中M1是选自稀土元素,In、Mn、Fe、Co、Ni、Al和Ga中的至少一种元素,L1是选自P、B和N中的至少一种元素,a、b、c、d和α满足:0≤a<1.2,0<b<1.2,0<c<1.2,0.9<a+b+c<1.2,0<d<0.1和0<α<3)。
搜索关键词: 离子 导体
【主权项】:
1.离子导体,包含式(1)代表的钙钛矿氧化物:BaZraCebM1 cL1 dO3-α...(1)其中M1是选自稀土元素、In、Mn、Fe、Co、Ni、Al和Ga中的至少一种元素,L1是选自P、B和N中的至少一种元素,a、b、c、d和α满足:0≤a<1.2,0<b<1.2,0<c<1.2,0.9<a+b+c<1.2,0<d<0.1和0<α<3。
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