[发明专利]掺硼的金刚石半导体无效
| 申请号： | 200680009050.X | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101160642A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | R·里纳雷斯 | 申请（专利权）人： | 阿波罗钻石公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/872;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨勇;郑建晖 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 第一和第二人造金刚石区域是掺硼的。第二人造金刚石区域比第一人造金刚石区域的掺有更多的硼，并且与第一人造金刚石区域物理接触。在另一示例性实施方案中，该第一和第二人造金刚石区域形成金刚石半导体，例如当连接到至少一个金属引线时的肖特基二极管。在其它实施方案中该金刚石是C12高增浓的金刚石，以增加该人造金刚石的导电性。在示例性实施方案中的制造工艺包括沿着氢注入层分离该多个金刚石层中的一层。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：掺硼的第一人造金刚石区域；掺硼的第二人造金刚石区域，该第二人造金刚石区域掺有比该第一人造金刚石区域更多的硼并且与该第一人造金刚石区域物理接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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