[发明专利]等离子体增强原子层沉积系统和方法有效
| 申请号： | 200680009127.3 | 申请日： | 2006-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101147248A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 松田司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/461 | 分类号： | H01L21/461;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进PEALD工艺的工艺室中、将第一处理材料引入工艺室内以及将第二处理材料引入工艺室内。该方法还包括在第二处理材料的引入期间将电磁功率耦合到工艺室，以生成促进在衬底表面处第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体。该方法还包括将反应性净化气体引入工艺室内，所述反应性净化气体与工艺室中的污染物发生化学反应以从工艺室部件或衬底中的至少一个中释放出污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 原子 沉积 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法，包括：将所述衬底放置在被配置为促进所述PEALD工艺的工艺室中；将第一处理材料引入所述工艺室内；将第二处理材料引入所述工艺室内；在所述第二处理材料的引入期间将电磁功率耦合到所述工艺室，以生成促进在所述衬底表面处的所述第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体；以及将反应性气体引入所述工艺室内，所述反应性气体与所述工艺室中的污染物发生化学反应以从工艺室部件或所述衬底中的至少一个中释放出所述污染物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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