[发明专利]凸点下金属膜及其形成方法、及声表面波器件有效
| 申请号： | 200680009633.2 | 申请日： | 2006-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101147250A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 古川光弘;鹰野敦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H03H9/145;H03H9/25 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是形成于衬底上的凸点下金属膜，该凸点下金属膜的结构，至少具备由铂族金属膜制成的耐扩散阻挡层、以及位于所述耐扩散阻挡层下层的以铝为主成分的应力缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 凸点下 金属膜 及其 形成 方法 表面波 器件 | ||
【主权项】：
1.一种凸点下金属膜，形成于衬底上，其中，所述凸点下金属膜的结构至少由以下两个层构成：由铂族金属膜制成的耐扩散阻挡层；以及设置于所述耐扩散阻挡层的下层，且以铝为主成分的应力缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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