[发明专利]单晶氧化镁及其制造方法有效
| 申请号： | 200680009667.1 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101146936A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 东淳生;川口祥史;国重正明 | 申请（专利权）人： | 达泰豪化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C01F5/02;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶MgO，其用于得到氧化镁(MgO)单晶蒸镀材料，该蒸镀材料在通过电子束蒸镀法等蒸镀时，可防止发生飞溅而不降低蒸镀时的成膜速度；以及提供一种单晶MgO，其用于得到单晶MgO基板，该基板可形成例如超导特性优异的超导体薄膜。该单晶MgO的钙含量为150×10－6～1000×10－6kg/kg、硅含量为10×10－6kg/kg以下，并且通过TOF－SIMS对单晶MgO的研磨面进行分析时的钙碎片离子检测量的变化以CV值计为30％以下。还提供一种由该单晶MgO得到的单晶MgO蒸镀材料和薄膜形成用单晶MgO基板。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镁 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶氧化镁，其特征在于，该单晶MgO的钙含量为150×10-6～1000×10-6kg/kg、硅含量为10×10-6kg/kg以下，其中，通过TOF-SIMS对所述单晶MgO的研磨面进行分析时的钙碎片离子检测量的变化以CV值计为30％以下。
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