[发明专利]用于图像传感器的3D结构分离式单位像素及其制造方法有效
申请号: | 200680009846.5 | 申请日: | 2006-03-29 |
公开(公告)号: | CN101151730A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 李道永 | 申请(专利权)人: | (株)赛丽康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种图像传感器的分离式单位像素及其制造方法,其可处理光电二极管上不同角度的入射光线并通过确保入射角裕度而在迷你摄像模块中提供缩放功能。所述包含多个晶体管的、用于图像传感器的、具有3D结构的分离式单位像素包括:第一晶片,其包括光电二极管、传输晶体管、起到将电荷转换为电压的静电作用的浮动扩散区域的结点、以及分别将浮动扩散区域和传输晶体管连接至外电路的衬垫;第二晶片,其包括组成像素的其余电路元件(即,复位晶体管、源极跟随晶体管和阻断开关晶体管)、读出电路、垂直/水平解码器、影响传感器工作和图像质量的相关双采样(CDS)电路、模拟电路、模拟数字转换器(ADC)、数字电路、以及连接每个像素的衬垫;以及连接装置,其连接第一晶片的衬垫和第二晶片的衬垫。因此,通过形成几乎相同的用于光电二极管的区域和用于像素的区域,图像传感器可被制造为具有较好的灵敏性,且无需使用微透镜。此外,通过在顶层设置光电二极管,可确保入射光的入射角裕度,传感器必须基本上提供该入射光的入射角裕度,以实现其自动聚焦功能或缩放功能。 | ||
搜索关键词: | 用于 图像传感器 结构 分离 单位 像素 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器的分离式单位像素,包括:光电二极管,其包含与半导体材料相反类型的掺杂;浮动扩散区域,其传输包含在所述光电二极管内的光电荷;传输晶体管,其传输在所述光电二极管内产生的所述光电荷,并被连接至外电路;以及衬垫,其分别将所述浮动扩散区域的结点和所述传输晶体管连接至所述外电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于(株)赛丽康,未经(株)赛丽康许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680009846.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的