[发明专利]等离子掺杂方法和等离子处理装置无效
申请号: | 200680010228.2 | 申请日: | 2006-03-29 |
公开(公告)号: | CN101151709A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 奥村智洋;佐佐木雄一朗;冈下胜己;水野文二;伊藤裕之;中山一郎;金成国 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L21/22 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 肖鹂 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供在导入到样品的表面的杂质的浓度均匀性方面优秀的等离子掺杂方法,和能均匀地进行样品的等离子处理的等离子处理装置。在根据本发明的等离子掺杂装置中,用作为排放装置的涡轮分子泵(3)经由排气口11将真空室(1)抽空,同时从气体供应装置(2)导入预定的气体,以使用调压阀(4)使真空室(1)的内部保持预定的压力。13.56MHz的高频电由高频电源(5)供应到线圈(8),以在真空室(1)内产生感应耦合等离子体,所述线圈设置在与样品电极(6)相对的介电窗(7)的附近。将高频电供应到样品电极(6)的高频电源(10)被设置。通过驱动活门(18)和盖住贯通门(16),处理的均匀性得到增强。 | ||
搜索关键词: | 等离子 掺杂 方法 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子掺杂方法,包括以下步骤:经由真空室的贯通门将样品传送到真空室内;将所述样品安放在所述真空室内的样品电极上;将所述真空室的内部排空,同时使气体几乎各向同性地从与所述样品相对的表面流向朝所述样品;在所述真空室内产生等离子体,同时将所述真空室内部控制在预定的压力;和使所述等离子体内的杂质离子与所述样品的表面碰撞,以把所述杂质离子导入所述样品的表面;其中贯通门在所述等离子体产生时被活门覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造