[发明专利]用于制造具有例如TCO无机涂层的箔片的方法有效
申请号: | 200680010237.1 | 申请日: | 2006-03-31 |
公开(公告)号: | CN101151738A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | L·V·德扬 | 申请(专利权)人: | 阿克佐诺贝尔股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;李峥 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造具有无机涂层的箔片的方法,包括以下步骤:(a)提供可蚀刻的临时基底箔(1),(b)将所述无机涂层(2)施加到所述临时基底上,(c)施加永久载体(3),(d)可选地,去除所述临时基底(1)的一部分,(e)将所述箔沿切割线切割成片,其中所述切割线位于所述箔的一部分处,其中在所述箔的一部分处存在具有相对所述切割线的每一侧边的至少0.25mm的宽度的所述临时基底,(f)去除所述临时基底的至少一部分。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 具有 例如 tco 无机 涂层 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造具有无机涂层的箔片的方法,包括以下步骤:(a)提供可蚀刻的临时基底箔,(b)将所述无机涂层施加到所述临时基底上,(c)施加永久载体,(d)可选地,去除所述临时基底的一部分,(e)将所述箔沿切割线切割成片,其中所述切割线位于所述箔的一部分处,其中在所述箔的一部分处存在具有相对所述切割线的每一侧边的至少0.25mm的宽度的所述临时基底,(f)去除所述临时基底的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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