[发明专利]等离子体掺杂方法及用于其的设备

摘要

一种等离子体掺杂方法和装置，形成于样品表面上的非晶层具有出色的面内均匀性。一种等离子体掺杂方法，其在真空腔内产生等离子体，并使该等离子体内的杂质碰撞样品表面以将样品表面改性为非晶态，其中等离子体辐射时间被调整以改善面内均匀性。如果等离子体辐射时间太短，则等离子体内的变化转移到硅基板上非晶层的深度，从而使面内均匀性恶化。如果等离子体辐射时间太长，使用等离子体溅射硅基板表面的效应占优势，从而使面内均匀性恶化。优选地发现介于其间的合适的等离子体辐射时间以提供良好的面内均匀性并在该时间内执行等离子体掺杂。

主权项

1.一种等离子体掺杂方法，包括使等离子体接触真空腔内的样品并使所述等离子体内包含的离子碰撞所述样品的表面以使所述样品表面质变成其非晶态的步骤；其中：在所述等离子体辐射时间设置为使得所述样品内非晶层深度的标准偏差小于在所述样品表面的所述等离子体内离子浓度的标准偏差，且另外所述非晶层的深度变为大于或等于所述非晶层饱和的深度的90％的时间时，实施所述等离子体掺杂方法。