[发明专利]闪存装置制造中用于多晶硅－1定义非临界互补掩膜方法无效
| 申请号： | 200680010634.9 | 申请日： | 2006-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101185163A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | U·金;H·木下;Y·孙;K·阿楚塔;C·H·雷德;C·M·福斯特;H·K·萨查尔;K·S·萨霍塔 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/8247;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭露在半导体晶片中用于定义多晶硅－1(poly－1)层(220)的方法(300)。使用非临界掩膜(non－critical mask)(227)以在多晶硅－1沉积(309)之前于外围区(periphery)(216)中使场氧化物(fieldoxide)凹入等于最后多晶硅－1厚度(226)的量。使用互补非临界掩膜(222)以允许核心区(core)(215)的CMP(223)将核心区氧化物台地(core oxide mesa)(225)的顶端从浅隔离沟槽(210)中暴露出来。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 装置 制造 用于 多晶 定义 临界 互补 方法 | ||
【主权项】：
1.一种定义在半导体晶片上的芯片的多晶硅-1层(220)的方法(300)，该芯片包含核心存储区域(215)以及外围区部分(216)，该方法包括下列步骤：在该核心存储区域(215)建立从衬底(213)突出的氧化物材料(214)的台地(228)；在该核心存储区域(215)沉积多晶硅-1层(220)在该衬底(213)及氧化物材料(214)的高台地(228)上；建立在该外围区部分(216)上的非临界掩膜(222)，使该核心存储器(215)被暴露出来；研磨(224)该半导体晶片以在该核心存储区域(215)中暴露出该高氧化物台地(225)的顶端；以及去除该非临界掩膜(222)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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