[发明专利]不对称高电压器件和制造方法有效
| 申请号： | 200680010636.8 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101180738A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 西奥多·莱塔维奇;赫尔曼·埃芬;罗伯特·库克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/08;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰爱*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种不对称半导体器件(10)及其形成方法，其中可在工艺中使用设计用于2.75或5.5V最大操作的栅极氧化物厚度来制造25V器件。所述器件包括：浅槽隔离(STI)区(12)，其在一个晶胞的漏极区(18)和栅极区(20)之间形成电介质以允许高电压操作；和在所述晶胞内摹制的n型阱(14)和p型阱(24)。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 电压 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种不对称互补金属氧化物半导体(CMOS)器件(10)，包括：浅槽隔离(STI)区(12)，其在一个晶胞的漏极区(18)和栅极区(20)之间形成电介质以允许高电压操作；和在所述晶胞内摹制的n型阱(14)和p型阱(24)。
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