[发明专利]具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED有效
| 申请号： | 200680011162.9 | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101180741A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | M·R·克拉梅斯;N·F·加德纳;F·M·斯特兰卡 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;谭祐祥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 为了将AlInGaP LED层的晶格常数增加到大于GaAs的晶格常数，以用来降低温度灵敏性，在衬底上形成设计的生长层，其中该生长层具有等于或者几乎等于所需AlInGaP层的晶格常数的晶格常数。在一实施例中，在GaAs衬底上生长分级的InGaP或InGaAs层。在层生长过程中增加铟的量，使得最终的晶格常数等于所需的AlInGaP有源层的晶格常数。在另一例中，在GaAs衬底上生长非常薄的InGaP、InGaAs或者AlInGaP层，其中InGaP、InGaAs或者AlInGaP层是应变的(压缩的)。然后从GaAs分离InGaP、InGaAs或者AlInGaP薄层，并松弛，使得薄层的晶格常数增加到所需覆盖AlInGaP LED层的晶格常数。然后在InGaP、InGaAs或者AlInGaP薄层上生长LED层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 温度 依赖性 alingap led | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：发光二极管(LED)部分，包括：-形成在生长层上的第一导电型的第一(AlxGa1-x)1-yInyP外延层，所述生长层具有大于GaAs的晶格常数的晶格常数；-在该第一(AlxGa1-x)1-yInyP外延层上外延生长的有源层，其中所述有源层包括由包含Al、Ga、In和P的任意组合材料的一个或多个层，使得该有源层具有大于GaAs的晶格常数并基本上等于生长层的晶格常数的晶格常数，其中所述有源层发射可见光；以及-在该有源层上生长的第二导电型的第二外延层。
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