[发明专利]量子库太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 200680011194.9 | 申请日: | 2006-08-14 |
公开(公告)号: | CN101167192A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 陈钟谋 | 申请(专利权)人: | 陈钟谋 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 | 代理人: | 樊文红 |
地址: | 210036江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种量子库太阳能电池,由半导体衬底、扩散层和上、下电极构成,在所述的半导体衬底层上设有和半导体衬底导电类型相同的轻掺杂的外延层,在该外延层上设有肋:所述的肋为长条状结构,包括多条平行的竖肋和至少有一条横肋,横肋贯穿连接多条平行的竖肋;竖肋和横肋围成的区间为肋区间;在所述的长条状的肋上设有:和外延层导电类型相反的纳米离子注入层、和离子注入层导电类型相反的高掺杂层,高掺杂层覆盖在纳米离子注入层上,在高掺杂层上覆盖有金属层;上电极引线连接在横肋上的金属层上;所述扩散层设置在整个肋间区内,其导电类型与外延层的导电类型相反,该扩散层上设有氧化层;同时,在上、下电极之间外加有背场电压。 | ||
搜索关键词: | 量子 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种量子库太阳能电池,由半导体衬底、扩散层和上、下电极构成,其特征在于,在所述的半导体衬底层上设有和半导体衬底导电类型相同的轻掺杂的外延层,在该外延层上设有肋:所述的肋为长条状结构,包括多条平行的竖肋和至少有一条横肋,横肋贯穿连接多条平行的竖肋;竖肋和横肋围成的区间为肋区间;在所述的长条状的肋上设有:和外延层导电类型相反的纳米离子注入层、和离子注入层导电类型相反的高掺杂层,高掺杂层覆盖在纳米离子注入层上,在高掺杂层上覆盖有金属层;上电极引线连接在横肋上的金属层上;所述扩散层设置在整个肋间区内,其导电类型与外延层的导电类型相反,该扩散层上设有氧化层;同时,在上、下电极之间外加有背场电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的