[发明专利]用于高性能CMOS应用的超薄Hf掺杂氮氧化硅膜及制造方法有效
| 申请号： | 200680011514.0 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101156246A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 朱文娟;迈克尔·P.·储德泽克;奥莱格·格鲁斯切恩科夫;朴大奎;关口章久 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括在基础栅电介质层(53)上形成均匀的扩散控制稳定材料的缓冲层，然后形成包括过渡金属原子源的均匀层，之后退火所述结构以将过渡金属原子从它们的源扩散经过扩散控制材料并进入基础栅电介质层(53)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 性能 cmos 应用 超薄 hf 掺杂 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底(12)；和形成在所述衬底上的栅电介质层(53)，所述栅电介质层(53)具有不超过大约7e14cm-2的金属原子表面浓度。
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