[发明专利]易失性存储器的寄存器读取有效

专利信息
申请号: 200680011543.7 申请日: 2006-02-03
公开(公告)号: CN101156211A 公开(公告)日: 2008-04-02
发明(设计)人: 罗伯特·迈克尔·沃克 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C5/00;G11C11/406
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在同步数据传送中,从SDRAM模块读取未存储于SDRAM模块的DRAM阵列中的数据。所述数据传送(称作寄存器读取命令/操作)在定时和操作上类似于针对存储于DRAM阵列中的数据的读取命令/操作。寄存器读取命令由SDRAM控制信号和库地址比特的唯一编码加以区别。在一实施例中,寄存器读取命令包括与MSR或EMSR命令相同的控制信号状态,其中库地址被设定为唯一值,例如2’b10。寄存器读取命令可仅读取单个数据,或可使用地址总线对未存储于DRAM阵列中的多个数据进行定址。寄存器读取操作可以是突发式读取,且突发长度可以各种方式来界定。
搜索关键词: 易失性 存储器 寄存器 读取
【主权项】:
1.一种自SDRAM(同步动态访问随机存储器)模块读取未存储于DRAM(动态访问随机存储器)阵列中的数据的方法,其包括:提供控制信号以用于使用控制信号的唯一编码从DRAM阵列进行同步数据读取;及同步地读取所述未存储于DRAM阵列中的数据。
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