[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680012024.2 | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101180722A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 简·桑斯基 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰爱*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法，其中通过在第一深腐蚀区域18的基底上形成第二深腐蚀区域120，在该第二深腐蚀区域120的基底上沉积绝缘体124，以及然后从该第二深腐蚀区域的侧壁而非由绝缘体124进行保护的基底横向蚀刻空穴26。本发明可以特别用于形成在有源部件之下具有空穴的半导体器件，或者，可以通过填充该空穴以形成绝缘体上硅或导体器件上硅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：(a)提供具有相对的第一和第二主要表面(4，6)的半导体衬底(2)；(b)从所述第一主要表面(4)向所述第二主要表面(6)对多个横向间隔的纵向第一深腐蚀区域(18)进行蚀刻；(c)在所述第一深腐蚀区域(18)的侧壁上形成隔离物(22)以保护所述深腐蚀区域的侧壁的至少一部分不被蚀刻；(d)在所述第一深腐蚀区域(18)的基底上蚀刻第二深腐蚀区域(120)；(e)在所述第二深腐蚀区域(120)的基底上而非所述第二深腐蚀区域(120)的侧壁上形成绝缘体(124)；以及(f)在所述第二深腐蚀区域(120)的侧壁开始并且横向延伸以蚀刻空穴(26)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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