[发明专利]MIM电容器及其制造方法

摘要

一种镶嵌MIM电容器以及制造所述MIM电容器的方法。所述MIM电容器包括具有顶和底表面的介质层；所述介质层中的沟槽，所述沟槽从所述顶表面延伸到所述介质层的所述底表面；包括沿所述沟槽的底延伸并在所有侧壁上形成的保形导电衬里的MIM电容器的第一板，所述沟槽的所述底与所述介质层的所述底表面共面；在所述保形导电衬里的顶表面之上形成的绝缘层；以及包括与所述绝缘层直接物理接触的芯导体的MIM电容器的第二板，所述芯导体填充所述沟槽中未被所述保形导电衬里和所述绝缘层填充的空间。所述方法包括与镶嵌互连布线同时地形成所述MIM电容器的各部分。

主权项

1.一种结构，包括：介质层，在半导体衬底的顶表面上，所述介质层具有顶表面和底表面；沟槽，在所述介质层中，所述沟槽从所述顶表面延伸到所述介质层的所述底表面；MIM电容器的第一板，其包括沿所述沟槽的底延伸并在所有侧壁上形成的保形导电衬里，所述沟槽的所述底与所述介质层的所述底表面共面；绝缘层，形成在所述保形导电衬里的顶表面之上；以及MIM电容器的第二板，其包括与所述绝缘层直接物理接触的芯导体，所述芯导体填充所述沟槽中未被所述保形导电衬里和所述绝缘层填充的空间。