[发明专利]曝光方法及曝光装置、以及器件制造方法无效
| 申请号： | 200680012949.7 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101164144A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 上原祐作;内川清;石山聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过组合由照射装置(91)进行的对可动光学元件(90)的非曝光光照射所产生的光学系统(PLL)的光学特性调整、以及通过光学特性调整装置使光学元件(90)移动所进行之光学系统(PLL)的光学特性调整，来修正起因于例如以偏离光轴的位置为中心光学元件以偏离光轴的位置为中心的温度分布的光学系统的光学特性变动。另外，为了在偶极(dipole)照明条件下等，将光瞳(PP1、PP2、PP3)附近的光学元件的非旋转对称的温度分布所导致之光学系统的光学特性，设成由光学特性调整装置容易修正的光学特性，而通过照射装置(91A)对光学元件(111)照射非曝光光来使该光学元件(111)成为旋转对称的温度分布。由此，可有效地修正因吸收照明光所导致的光学系统的光学特性变动。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 装置 以及 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光方法，经由光学系统利用第1能量束使物体曝光，在上述物体上形成规定的图案，其特征在于包括：照射步骤，为了调整上述光学系统的光学特性，对构成上述光学系统至少一部分的至少一个可动光学元件，照射与上述第1能量束不同波长区域的第2能量束；以及修正步骤，移动包含上述第2能量束所照射的可动光学元件的至少一个可动光学元件，来调整上述光学系统的光学特性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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