[发明专利]用于形成具有空间均匀性掺杂杂质的SiC晶体的方法和系统有效
| 申请号： | 200680013157.1 | 申请日： | 2006-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101163824A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 阿维纳什·K·古普塔;爱德华·西门纳斯;伊利娅·茨维巴克;多诺万·L·巴雷特;安德鲁·E·苏奇兹 | 申请（专利权）人： | II－VI有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 针对物理气相传输方法和系统，本发明提供了装有具有间隔开的位置关系的源材料和籽晶的生长容器。本发明还提供了至少一个皿，该皿具有至少一根在皿内部和皿外部之间延伸的毛细管，其中所述皿的内部装有掺杂剂。将各个皿放置在所述的生长容器的内部。在生长容器中装入各个皿之后，通过在生长容器中进行生长反应来利用源材料在籽晶上形成晶体，其中所形成的该晶体掺杂有所述的掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 具有 空间 均匀 掺杂 杂质 sic 晶体 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种物理气相传输方法，该物理气相传输方法包括：(a)提供生长容器，该生长容器装有具有间隔开的位置关系的源材料和籽晶；(b)提供至少一个皿，该皿具有至少一根在该皿内部和该皿外部之间延伸的毛细管，其中所述皿的内部装有掺杂剂；(c)将各个所述的皿放置在所述的生长容器中；以及(d)在步骤(c)之后，通过在所述的生长容器中进行生长反应来利用所述源材料在所述籽晶上形成晶体，其中所形成的所述晶体掺杂有所述的掺杂剂。
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