[发明专利]用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成组合物有效
| 申请号： | 200680013280.3 | 申请日： | 2006-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101164014A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 竹井敏;新城彻也;日高基彦 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 交联 固化 抗蚀剂 下层 组合 | ||
【主权项】：
1.一种下层膜形成组合物，是用于通过光照射形成在制造半导体装置的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性物质和光聚合引发剂。
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