[发明专利]金刚石晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200680014668.5 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101167190A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 吉奥弗瑞·A·斯卡丝布鲁克;丹尼尔·J·维特臣;克里斯托弗·J·H·沃特;迈克·斯维特尔斯;厄哈德·孔 | 申请（专利权）人： | 六号元素有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种用于制造晶体管(通常为MESFET)的方法，包括提供衬底，该衬底包括单晶金刚石材料，该单晶金刚石材料具有生长表面，在该生长表面上沉积其它金刚石材料层。该衬底优选通过CVD工艺形成并且具有高纯度。该生长表面具有3纳米或更低的均方根粗糙度，或没有大于3纳米的台阶或凸起。在该生长表面上沉积其它金刚石层，以限定该晶体管的有源区域。可选的n+屏蔽层可以形成在该衬底中或该衬底上，然后沉积高纯度金刚石的附加层。在该方法的一个实施例中，在该高纯度层的上表面上直接形成本征金刚石层，然后是硼掺杂(“Δ掺杂”)层。在该Δ掺杂层中形成沟槽，以限定栅极区。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造晶体管的方法，包括以下步骤：(a)提供衬底，该衬底包括单晶金刚石材料，该单晶金刚石材料具有生长表面，在该生长表面上可以沉积其它金刚石材料层，该生长表面或其区域具有3纳米或更低的均方根粗糙度或者没有大于3纳米的台阶或凸起；(b)在该衬底生长表面上沉积多个其它金刚石层；以及(c)将合适的接触贴附到相应的金刚石层，从而限定出晶体管结构。
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