[发明专利]具有形貌图案化的膜的膜介导的电抛光无效

专利信息
申请号: 200680014774.3 申请日: 2006-04-28
公开(公告)号: CN101171371A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: S·马祖尔;C·E·杰克逊;G·W·福金 申请(专利权)人: 纳幕尔杜邦公司
主分类号: C25F3/00 分类号: C25F3/00;C25F7/00;B23H3/06;B23H3/08;B23H3/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 温宏艳;邹雪梅
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 用本发明提供使用形貌图案化的膜来抛光和/或平面化金属工件的膜介导的电抛光(MMEP)方法。该方法可用于纯金属和合金,并且提供优于常规电抛光方法和已知的使用光滑膜的MMEP方法的优点。本发明也提供在膜介导的电抛光方法中有用的阴极半电池和装置。本发明还提供用于在金属工件表面电蚀刻和电加工形貌图案、孔和/或凹陷沟道的方法。
搜索关键词: 具有 形貌 图案 膜介导 电抛光
【主权项】:
1.膜介导的电抛光方法,包括:a.提供阴极半电池,包括:1.完全或部分密闭的容积、腔或容器;2.电解质溶液或凝胶,其部分或基本填充所述密闭的容积、腔或容器;3.电极,其与电解质溶液或凝胶接触;4.工具,用于电连接电极至DC电源;和5.电荷选择性离子传导膜,其密封所述密闭的容积、腔或容器的一个表面,使得所述膜的内表面接触电解质溶液或凝胶,外表面能够接触金属工件和导电率低的溶剂或溶液,其中所述膜用位于所述膜的外表面上的宽度WL的槽脊和深度DC沟道形貌图案化,并且所述沟道延伸至轮廓面积的边缘;b.用导电率低的溶剂或溶液基本上覆盖金属工件的表面;c.提供DC电源,其正接线端连接金属工件,其负接线端连接所述半电池的电极;和d.使金属工件与至少一部分所述膜的外表面接触。
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