[发明专利]电子器件及其使用无效
| 申请号： | 200680014825.2 | 申请日： | 2006-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101171687A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 马雷克·克莱;赖纳·基维特;乌尔里希·席贝尔;汉斯－沃尔夫冈·布兰德;吕迪格·毛佐克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/08;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 集成电容器结构包括具有第一电容器(60)的第一支路和具有第二电容器(70)的第二支路。第二电容器(70)具有比第一电容器(60)高的电容密度及低的击穿电压。第一支路具有比第二支路短的RC时间常数，从而电压峰值将实质上跟随第一支路。该第一电容器(60)具有足够的电容以存储电压峰值的电荷。在一个实施例中，第二电容器(70)是叠置电容器。该结构适于ESD保护，并且为此可以额外包括二极管(21)和电阻器(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 使用 | ||
【主权项】：
1.一种设置有集成电容器结构的电子器件，该集成电容器结构具有输入和至少一个输出，该结构包括第一支路和第二支路，该第一支路连接在该结构的输入和输出之间，并且包括第一电容器，该第二支路连接到输入，并且包括具有比第一电容器高的电容密度以及低的击穿电压的第二电容器，其中，第一支路具有比第二支路短的RC时间常数，从而脉冲电压峰值将实质上跟随第一支路，第一电容器具有足够的电容以存储电压峰值的电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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