[发明专利]利用回蚀制造的金属－绝缘体－金属电容器有效

申请号：	200680014904.3	申请日：	2006-03-03
公开（公告）号：	CN101171682A	公开（公告）日：	2008-04-30
发明（设计）人：	托尼·坦·潘;马丁·B·莫拉特	申请（专利权）人：	德州仪器公司
主分类号：	H01L21/8242	分类号：	H01L21/8242;H01L21/20;H01L27/108;H01L29/00
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人：	刘国伟
地址：	美国得***	国省代码：	美国;US
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摘要：	本发明提供一种制造金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的方法、一种制造具有金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的集成电路的方法，以及一种具有金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的集成电路。所述制造所述金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的方法尤其包含且不限于以下步骤：在衬底(110)上提供材料层(185)；以及在所述衬底上形成具有厚度(t₁)的难熔金属层(210)，所述难熔金属层的至少一部分在所述材料层上延伸。所述方法进一步包含减小所述难熔金属层(210)在所述材料层上延伸部分的厚度(t₂)，借此形成变薄的难熔金属层(310)；以及使所述变薄的难熔金属层(310)与所述材料层的至少一部分反应，以形成用于电容器中的电极。
搜索关键词：	利用制造金属绝缘体电容器
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【主权项】：

1.一种制造包含金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的半导体装置的方法，其包括：在衬底上提供材料层；在所述衬底上形成具有一厚度的难熔金属层，所述难熔金属层的至少一部分在所述材料层上延伸；减小所述难熔金属层的在所述材料层上延伸的所述部分的厚度，借此形成变薄的难熔金属层；以及使所述变薄的难熔金属层与所述材料层的至少一部分反应，以形成用于电容器中的电极。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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