[发明专利]4T CMOS成像器像素中的暗电流和溢出抑制方法和设备有效
| 申请号： | 200680015171.5 | 申请日： | 2006-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN101171828A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 约翰·拉德 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H04N3/15 | 分类号： | H04N3/15 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于操作成像器像素的方法和设备，其包含以下动作：在电荷汇集周期期间在转移晶体管的栅极上施加相对较小的第一极性电压和多个第二极性电压的脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 成像 像素 中的 电流 溢出 抑制 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种像素单元，其包括：光电传感器；存储区；和晶体管，其用于将光电荷从所述光电传感器转移到所述存储区；以及控制电路，其用于在所述光电传感器的汇集周期期间向所述晶体管的控制栅极施加第一极性电压，并在所述汇集周期期间向所述控制栅极施加多个第二极性电压的脉冲。
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