[发明专利]用于珀耳帖控制的相变存储器的方法和结构有效

专利信息
申请号: 200680015365.5 申请日: 2006-01-13
公开(公告)号: CN101171696A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 利亚·克鲁辛-埃尔保姆;丹尼斯·M.·纽恩斯 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 康建忠
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 存储单元包含存储信息位的相变材料(PCM)元件。PCM元件外部的加热元件改变信息位。冷却元件增大信息位改变的速度。冷却元件优选为PCM元件的表面附近的用于加热和冷却所述表面的珀耳帖器件。
搜索关键词: 用于 珀耳帖 控制 相变 存储器 方法 结构
【主权项】:
在由此说明了我们的发明后,我们要求并希望得到的文字上的专利如下:1.一种存储单元,包括:用于存储信息位的相变材料(PCM)元件;用于改变所述信息位的所述PCM元件外部的加热元件;和用于增大改变所述信息位的速度的冷却元件。
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