[发明专利]生成Ⅲ－N层的方法，和Ⅲ－N层或Ⅲ－N衬底，以及其上的器件无效
| 申请号： | 200680015547.2 | 申请日： | 2006-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101258271A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 费迪南·斯考兹;彼得·布克纳;弗兰克·哈伯尔;马提亚·彼得;克劳斯·柯勒 | 申请（专利权）人： | 弗赖贝格化合物原料有限公司;欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;H01L21/205;C30B25/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长厚III－N层的外延生长方法，其中，III指元素周期表中第III族中的至少一种元素，厚III－N层被沉积在异质衬底上。外延生长方法优选用HVPE来实现。衬底也可以是包含异质衬底和至少一个薄III－N中间层的模板。通过使衬底具有有意选取的取向差和/或在外延生长处理过程的最后减小N/III比率和/或反应器压力，可以改善表面质量。本发明也公开了具有这种改善III－N层的衬底和半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 方法 衬底 及其 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于生成厚III-N层的外延生长方法，其中，III指元素周期表第III族元素中的至少一种元素，其中，厚度大于等于40微米的厚III-N层被沉积在取向差在0.1°和0.2°之间的异质衬底上。
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