[发明专利]具有消反射电介质的集成电路电容器

摘要

本发明公开了一种电容器(100)，其作为集成电路制造工艺的部分形成。电容器有导电的顶电极和底电极(140，144)和不导电的电容器电介质(142)。在一个示例中，该电介质包括第一和第二薄介电层(112，114)，其中间夹有消反射材料层(118)。除了其它方面，这些薄层提供电容器必须的介电性能，同时通过减轻反射的驻波，消反射层促进特征结构尺寸的减小。

主权项

1.一种形成集成电路的方法，其包括：提供半导体基片，所述半导体基片具有在其上形成的第一金属化层；在所述第一金属化层上形成消反射介电材料层；在所述消反射介电材料层上形成第二金属化层；和图案化所述第一金属化层、所述消反射介电材料层和所述第二金属化层，以提供电容器，所述电容器具有由所述第一金属化层形成的第一电极、由所述消反射介电材料层形成的电容器电介质和由所述第二金属化层形成的第二电极。