[发明专利]氮化物半导体元件及其制法无效
| 申请号： | 200680015994.8 | 申请日： | 2006-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101171694A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 中原健 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/26;H01L29/778;H01L29/812;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供通过将加工性好的氧化锌系化合物用作基板，使生长的氮化物半导体的结晶性良好，而且具有能够非常简单地进行基板剥离和芯片化的结构的氮化物半导体元件及其制法。当在基板(1)上叠层氮化物半导体层形成氮化物半导体元件时，基板由MgxZn1－xO(0＜x≤0.5)构成，与该基板相接地设置有由InyGa1－yN(0≤y≤0.5)构成的第一氮化物半导体层(2)，在该第一氮化物半导体层上叠层氮化物半导体层(3)～(7)，以形成半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，其为在基板上叠层氮化物半导体层而形成的氮化物半导体元件，其特征在于：所述基板由氧化锌系化合物构成，与该基板相接设置有由InyGa1-yN(0＜y≤0.5)构成的第一氮化物半导体层，在该第一氮化物半导体层上叠层氮化物半导体层，以形成半导体元件。
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