[发明专利]沉积方法和沉积设备

摘要

本发明包括可在原子层沉积或化学气相沉积期间利用的沉积方法和设备。在半导体衬底堆叠与前驱物入口之间提供加热表面，且所述加热表面经配置以使得成问题的副反应发生在紧靠所述加热表面处而非在紧靠所述半导体衬底处。所述前驱物入口可以是多个前驱物入口中的一者，且所述加热表面可以是多个加热表面中的一者。

主权项

1.一种沉积方法，其包含：在沉积设备的反应腔室内提供半导体衬底堆叠；在所述反应腔室内将所述半导体衬底加热到第一温度；在所述反应腔室内提供表面，所述表面被加热到至少大约所述第一温度；所述表面与所述半导体衬底堆叠间隔某一距离；以及使沉积材料朝向所述表面且此后朝向所述半导体衬底堆叠流动；所述沉积材料与所述加热表面相互作用，使得发生副反应；所述副反应产生一种或一种以上成问题的产物；所述加热表面与所述半导体衬底堆叠之间的距离足够大，使得所述一种或一种以上成问题的产物中大致上没有一者到达所述半导体衬底堆叠。