[发明专利]对非易失性存储设备中的耦合的补偿有效
| 申请号： | 200680017023.7 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101199022A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈建;若尔－安德里安·瑟尼;格里特·简·赫民克 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 由于电场基于邻近的浮动栅极(或其它邻近的电荷存储元件)中存储的电荷的耦合，所以非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上存储的视在电荷会出现偏移。所述问题在已于不同时刻编程的邻近的存储器单元组之间最为显著。为了补偿这种耦合，给定存储器单元的读取过程将考虑到邻近的存储器单元的编程状态。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 设备 中的 耦合 补偿 | ||
【主权项】：
1.一种用于从存储至少第一页和第二页的数据的第一组非易失性存储元件中读取数据的方法，其包括：确定邻近所述第一组非易失性存储元件的第二组非易失性存储元件的电荷电平数据，所述第一组非易失性存储元件和所述第二组非易失性存储元件与至少四个数据状态相关联；以及使用在两个邻近的数据状态之间进行区分的不同参考电平执行多个读取操作，且对于所述第一组非易失性存储元件中的每一者，基于所述第二组多态非易失性存储元件中的各个邻近的非易失性存储元件的电荷电平数据来选择记录与所述读取操作之一相关联的信息，所述记录的信息指示所述第一页数据的数据值。
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