[发明专利]使用超临界流体去除表面的极性流体无效
| 申请号： | 200680017032.6 | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101176191A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 保罗·A·法勒 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述一种使用超临界流体去除基板表面的极性流体的方法。可清洗的基板包括微电子装置，诸如集成电路、微电子机械装置和光电装置。这些装置的表面可包括泡沫聚合物，诸如用作介电材料的泡沫聚合物。可用于去除极性流体的超临界流体一般包括处于超临界状态的含氧有机化合物。使用超临界流体进行的极性流体的去除可以通过其它清洗方法使用超临界流体去除所述基板的所述表面的颗粒物来辅助。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 临界 流体 去除 表面 极性 | ||
【主权项】：
1.一种清洗基板表面的方法，其包含：使所述基板与包含处于超临界状态的含氧有机化合物的溶剂化流体接触；和使所述含氧有机化合物回到非超临界状态，以去除至少一部分存在于所述基板的所述表面上的极性流体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680017032.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
