[发明专利]产生原子和分子的低杂质强离子束的共振方法有效
| 申请号： | 200680017474.0 | 申请日： | 2006-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101292139A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 肯尼思·H·珀泽;艾伯特·E·利瑟兰;诺曼·L·特纳 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | G01K1/08 | 分类号： | G01K1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘锴;韦欣华 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包括用于产生以前不能以有用强度产生的高强度各种所需正和负分子和原子离子束的紧凑经济装置。另外，本发明提供与所需离子经常同时发射的伴随背景的基本拒斥。本发明的原理为共振离子转移，其中利用共振和非共振过程之间的能量差异增强或减弱粒子电荷改变过程。这种新的源技术与以下领域有关：加速器质谱分析，分子离子注入、定向中性束的产生和在磁场内产生离子束中和所需电子。具有商业重要性的一个例子是癸硼烷分子B10H14的电离，其中在癸硼烷分子和砷原子之间发生几乎完美的电离共振匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 原子 分子 杂质 离子束 共振 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在不包括氦、氖、氩、氪或氙稀有气体原子的目标原子或分子系综内优先产生用于电流超过200微安的带电粒子束内的所需物种离子的方法，包括用具有高速原子或分子正或负离子的入射束穿过所述系综，其中离子的所述入射束具有在需要在所述系综内产生的所述所需物种的离子电离势或电子亲合势约500meV内的电离势或电子亲合势。
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