[发明专利]可制造垂直扩充空腔表面发射激光器阵列无效
| 申请号： | 200680017483.X | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101558534A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 阿兰·莫拉迪安;安德列·V.·什切格罗夫;杰森·P.·沃特森;迈克尔·简森;雷内·达托;约汉·W.·格林;迪克·李;阿尔维达斯·乌姆布拉萨斯 | 申请（专利权）人： | 诺瓦光电技术公司 |
| 主分类号： | H01S3/08 | 分类号： | H01S3/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了垂直扩充空腔表面发射激光器(VECSEL)的阵列。将两个或更多个传统光学部件的功能组合成一个光学单元，以减少在封装期间必须对准的部件的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 垂直 扩充 空腔 表面 发射 激光器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种带有空腔内非线性倍频的半导体垂直扩充空腔表面发射激光器阵列，包括：具有在公用半导体衬底中形成的发射器阵列的电泵浦表面发射半导体增益芯片，每个发射器生成基波波长附近的光；与所述表面发射半导体增益芯片隔开以限定每个所述发射器阵列的扩充空腔的端反射器，所述端反射器在基波激光波长上具有高反射率；位于扩充空腔内以便为整个发射器阵列提供光的倍频的非线性晶体；位于扩充空腔内以便为整个发射器阵列提供波长控制的波长控制元件；以及位于扩充空腔内以便为整个发射器阵列提供极化控制的极化控制元件；所述表面发射激光器阵列具有光学单元，所述光学单元具有所述增益芯片、所述端反射器、所述非线性晶体、所述波长控制元件和所述极化控制元件的至少两个的功能，以减少必须在封装期间对准的部件的数量。
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