[发明专利]嵌入了MRAM的集成电路中的3D电感器和变压器器件无效
| 申请号： | 200680017817.3 | 申请日： | 2006-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101238521A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 马克·A.·杜尔莱姆;郑勇;罗伯特·W·拜尔德;布拉德利·N·恩格 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/14 | 分类号： | G11C11/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路器件(300)，包括磁性随机存取存储器(“MRAM”)结构(310)和至少一个电感元件(312，314)，它们利用相同的制作工艺技术形成在相同的基板上。该电感元件可以是电感器或变压器，它形成在与MRAM结构的编程线相同的金属层上。除编程线层之外的任何可用金属层可以添加到电感元件中，以提高效率。MRAM结构(310)和电感元件(312，314)的同时制作有利于有效且低成本地利用基板的有效电路块上的可用物理空间，从而获得三维集成。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入 mram 集成电路 中的 电感器 变压器 器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：基板；形成在所述基板上的磁性随机存取存储器(“MRAM”)结构，所述MRAM结构包括：由第一金属层形成的至少一个数字线；由第二金属层形成的至少一个位线；以及形成在所述第一金属层和所述第二金属层之间的磁性隧道结芯；以及在所述基板上由所述第一金属层或所述第二金属层中至少一个形成的电感元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680017817.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：便携式承压工业管道在线恒磁检测装置
- 下一篇：一种新型天然气加臭装置
