[发明专利]电子器件

摘要

本发明涉及一种电子器件，其具有包括至少一个RF晶体管(RFT)和用于对RF晶体管(RFT)进行偏置的至少一个偏置单元(BC)的半导体管芯，该RF晶体管(RFT)占据管芯(SD)上的整个RF晶体管有源区(ARFT)。整个RF晶体管有源区(ARFT)包括具有沟道宽度(W)和沟道长度(L)的至少一个晶体管沟道(C)，以及用于对所述RF晶体管(RFT)进行偏置的至少一个偏置单元(BC)。整个偏置单元有源区(ABC)包括具有沟道宽度(W)和沟道长度(L)的至少一个晶体管沟道(C)。至少一个偏置单元(BC)占据管芯(SD)上的整个偏置单元有源区(ABC)。整个偏置单元有源区(ABC)具有公共区域中心(COABC)。整个RF晶体管有源区(ARFT)具有公共区域中心(COAFT)。所述有源区(ABC，ARFT)被设置为使所述RF晶体管的区域或子区的公共中心(COARF)和所述偏置单元的区域或子区的公共中心(COABC)均位于轴(AX2)上，所述轴(AX2)与所述RF晶体管(RFT)的至少一个沟道(C)的长度(L)基本上垂直或平行。

主权项

1.一种电子器件，具有半导体管芯(SD)，所述半导体管芯(SD)包括-至少一个RF晶体管(RFT)，其占据所述管芯(DS)上的整个RF晶体管有源区(ARFT)，所述整个RF晶体管有源区(ARFT)包括具有沟道宽度(W)和沟道长度(L)的至少一个晶体管沟道(C)，以及-用于对所述RF晶体管(RFT)进行偏置的至少一个偏置单元(BC)，整个偏置单元有源区(ABC)包括具有沟道宽度(W)和沟道长度(L)的至少一个晶体管沟道(C)，所述至少一个偏置单元(BC)占据所述管芯(SD)上的整个偏置单元有源区(ABC)；-整个RF晶体管有源区(ARFT)基本上大于整个偏置单元有源区(ABC)，-整个偏置单元有源区(ABC)具有公共区域中心(COABC)，-整个RF晶体管有源区(ARFT)具有公共区域中心(COAFT)，-所述有源区(ABC，ARFT)被设置为使所述RF晶体管的区域或子区的公共中心(COART)和所述偏置单元的区域或子区的公共中心(COABC)均位于轴(AX2)上，所述轴(AX2)与所述RF晶体管(RFT)的至少一个沟道(C)的长度(L)基本上垂直或平行。