[发明专利]反熔丝存储装置有效
| 申请号： | 200680018002.7 | 申请日： | 2006-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101180684A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 保罗·范德斯勒伊斯;安德烈·米希里特斯科伊;皮埃尔·H·沃尔里;维克托·M·G·范艾科特;尼古拉斯·兰伯特 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;H01L23/525 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一次可编程(OTP)存储器单元(10)包括涂敷有第二导电稳定过渡化合物(14)的第一金属层(12)，其间具有绝缘层(16)。根据第一和第二层之间的Gibbs自由能的差别来选择第一和第二层(12、14)，Gibbs自由能规定了作为两种材料的放热化学反应的结果产生的化学能。第一和第二层(12、14)的材料本身是高度热稳定的，但是，当向单元(10)施加电压时，绝缘层(16)的局部击穿产生引起第一和第二层(12、14)之间的放热化学反应的热点(18)。放热反应产生足够的热(20)以在单元两端产生短路，并且因此减小其阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有至少两个端子的非易失性存储器单元(10)的方法，可通过在所述端子之间施加电压以便将其阻抗从表示第一逻辑比特值的相对较高阻抗的第一阻抗改变为表示第二逻辑比特值的相对较低的第二阻抗，对所述非易失性存储器单元(10)进行编程，所述方法包括以下步骤：形成包括多层材料的叠层，所述叠层包括第一导电材料层(12)、第二导电材料层(14)、和位于所述第一导电材料层(12)和所述第二导电材料层(14)之间的绝缘材料层(16)，所述第二导电材料(14)包括稳定的化合物，所述绝缘材料层(16)使得向所述单元(10)施加所述电压引起所述绝缘层(16)的局部击穿，所述方法还包括以下步骤：选择所述第一和第二导电材料层(12、14)，使得通过所述绝缘层(16)的所述局部击穿产生的热激发所述第一和第二导电材料层(12、14)之间的放热化学反应，从而在所述单元(10)中产生足够的能量(20)以改变所述叠层的所述层中的一个的至少一部分的状态，在所述端子之间产生稳定的短路，并将所述存储器单元(10)的阻抗从相对较高阻抗的所述第一阻抗改变为相对较低阻抗的所述第二阻抗。
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