[发明专利]临界尺寸减小及粗糙度控制有效
申请号: | 200680018775.5 | 申请日: | 2006-05-10 |
公开(公告)号: | CN101595551A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 李尚宪;崔大汉;金智洙;彼得·西里格利亚诺;黄志松;罗伯特·沙拉安;S·M·列扎·萨贾迪 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;尚志峰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种用于在蚀刻层形成特征的方法。光刻胶层在蚀刻层上形成。光刻胶层被图案化,以形成带有光刻胶侧壁的光刻胶特征。控制层在光刻胶层以及光刻胶特征底部上形成。共形层沉积在光刻胶特征的侧壁以及控制层上,以减小光刻胶特征的临界尺寸。利用控制层突破化学成分,在控制层打开开口。利用蚀刻化学成分将特征蚀刻入蚀刻层中,该蚀刻化学成分不同于控制层突破化学成分,其中,控制层比共形层更加抗蚀利用蚀刻化学成分的蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 临界 尺寸 减小 粗糙 控制 | ||
【主权项】:
1.一种用于在蚀刻层中形成特征的方法,包括:在所述蚀刻层上形成光刻胶层;图案化所述光刻胶层,以形成具有光刻胶侧壁的光刻胶特征,其中所述光刻胶特征具有第一临界尺寸;在所述光刻胶层和所述光刻胶特征底部上形成控制层;在所述光刻胶特征的所述侧壁和控制层上沉积共形层,以减小所述光刻胶特征的所述临界尺寸;利用控制层突破化学成分在所述控制层中突破开口;以及利用蚀刻化学成分将特征蚀刻入所述蚀刻层中,所述蚀刻化学成分不同于所述控制层突破化学成分,其中,所述蚀刻层特征具有第二临界尺寸,所述第二临界尺寸小于所述第一临界尺寸,并且其中,所述控制层比所述共形层更加抗蚀利用所述蚀刻化学成分的所述蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造