[发明专利]碳纳米管键合焊盘结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200680018797.1 | 申请日： | 2006-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101185164A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 克里丝·怀兰德 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种用于集成电路(IC)的键合焊盘结构(300)，使用碳纳米管以提高线键合(360)的强度和弹性。在示例实施例中，在IC衬底上有键合焊盘结构(300)，该键合焊盘结构包括：具有顶表面和底表面的第一导电层(310)，底表面附着于IC衬底上。在第一导电层(310)的顶表面上沉积电介质层(320)，该电介质层具有通路阵列(325)，通路阵列中填充有碳纳米管材料(325)，该碳纳米管材料(325)与第一导电层(310)电耦合。存在着具有顶表面和底表面的第二导电层(330)，该第二导电层的底表面与碳纳米管材料(325)电耦合。该实施例的特征也可以包括由碳纳米管材料组成的第一(410、510)或第二(430、530)导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 管键合焊 盘结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路衬底上的键合焊盘结构(300)，该键合焊盘结构包括：具有顶表面和底表面的第一导电层(310)，该底表面附着于集成电路衬底上并与之接触；在第一导电层的顶表面上沉积的电介质层(320)，该电介质层具有通路阵列，通路阵列中的每一个填充有碳纳米管材料(325)，碳纳米管材料与第一导电层(310)电耦合；以及具有顶表面和底表面的第二导电层(330)，该第二导电层的底表面与该碳纳米管材料(325)电耦合。
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