[发明专利]蚀刻形貌控制有效
| 申请号： | 200680018829.8 | 申请日： | 2006-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101185157A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 卡梅利娅·鲁苏;黄志松;穆昆德·斯里尼瓦桑;埃里克·A·赫德森;阿龙·埃普勒 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于蚀刻位于基片上且置于掩模下的介电层的方法。基片设置于等离子体处理室中。提供包括O2和硫成分气体的蚀刻剂气体到等离子体室，该硫成分气体包括H2S和含有至少一个碳硫键的化合物中的至少一种。等离子体从蚀刻剂气体形成。利用来自于蚀刻剂气体的等离子体，穿过光刻胶掩模，特征被蚀刻到蚀刻层中。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 形貌 控制 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻位于基片上且置于光刻胶掩模下的介电层的方法，包括：将所述基片置于等离子体处理室中；将包括O2和硫成分气体的蚀刻剂气体提供到所述等离子体室中，所述硫成分气体包括H2S和含有至少一个碳硫键的化合物中的至少一种；从所述蚀刻剂气体形成等离子体；以及利用来自于所述蚀刻剂气体的所述等离子体，穿过所述光刻胶掩模将特征蚀刻到所述蚀刻层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
