[发明专利]用于使用快速离子束控制在固定射束离子注入过程中进行瞬态干扰恢复的方法和装置

摘要

本发明提供一种离子注入器，其包含：固定平面离子束的来源；一组射束线组件，其沿着由第一操作参数值确定的正常射束路径而导引离子束；终端站，其以机械方式横越正常射束路径而扫描晶片；以及控制电路，其在注入通过期间对离子束中的瞬态干扰作出响应以(1)立即将射束线组件中的至少一者的操作参数改变为第二值以将离子束引导远离正常射束路径且进而停止在晶片上的注入过渡位置处的注入，(2)随后将晶片移动到注入恢复位置，在所述注入恢复位置中，晶片上的注入过渡位置正好位于离子束的正常射束路径上，且(3)将操作参数改回到其第一值以沿着正常射束路径引导离子束且恢复在晶片上的注入过渡位置处的离子注入。操作参数可以是提取电源的输出电压或影响离子束的路径的射束线组件的其它电压和/或电流。

主权项

1.一种操作固定射束离子注入器的方法，以在半导体晶片中执行离子注入，所述操作固定射束离子注入器的方法包含：通过以机械方式横越正常射束路径扫描所述半导体晶片来执行注入通过，所述正常射束路径由被多个射束线组件的各自操作参数的各自第一值确定的固定平面离子束经过；响应于在所述注入通过期间检测到所述离子束中的瞬态干扰，实质上立即将所述射束线组件中的至少一者的至少一个操作参数改变为各自第二值，所述第二值可有效用于将所述离子束引导远离所述正常射束路径，且进而停止在所述半导体晶片上的注入过渡位置处的对所述半导体晶片的注入；当将所述离子束引导远离所述正常射束路径时，将所述半导体晶片移动到注入恢复位置，在所述注入恢复位置中所述半导体晶片上的所述注入过渡位置正好位于所述离子束的所述正常射束路径上；以及随着所述半导体晶片达到所述注入恢复位置，实质上立即将所述至少一个射束线组件的所述至少一个操作参数改回到其各自第一值，以借此沿着所述正常射束路径引导所述离子束，并恢复在所述半导体晶片上的所述注入过渡位置处的离子注入。